실험8결과보고서. MOSFET의 특성 DownLoad - A++

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실험8결과보고서. MOSFET의 특성 DownLoad

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실험8결과보고서. MOSFET의 특성

실험8결과보고서. MOSFET의 특성

전자회로 설계 및 실험

`실험 8. MOSFET의 특성`

결과보고서

1. 실험 목적

1. 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해 본다.

2. MOS 소자의 특성 커브를 측정해 보고, 이를 통해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.

2. 실험 결과

출력 특성

(mA)

(mA)

3.5

1

0.020

3.1

10

0.007

3.5

2

0.188

3.2

10

0.036

3.5

3

0.289

3.3

10

0.118

3.5

4

0.389

3.4

10

0.327

3.5

5

0.486

3.5

10

0.820

3.5

6

0.576

3.6

10

0.997

3.5

7

0.608

3.7

10

1.000

3.5

8

0.610

3.8

10

1.000

3.5

9

0.612

3.9

10

1.000

3.5

10

0.613

4.0

10

1.001

... 전자회로 설계 및 실험

`실험 8. MOSFET의 특성`

결과보고서

1. 실험 목적

1. 소자 문턱 전압과 소자 전도도 변수를 측정해 본다.

2. MOS 소자의 특성 커브를 측정해 보고, 이를 통해서 MOS의 여러 특성에 대해 알아본다.

2. 실험 결과

출력 특성

(mA)

(mA)

3.5

1

0.020

3.1

10

0.007

3.5

2

0.188

3.2

10

0.036

3.5

3

0.289

3.3

10

0.118

3.5

4

0.389

3.4

10

0.327

3.5

5

0.486

3.5

10

0.820

3.5

6

0.576

3.6

10

0.997

3.5

7

0.608

3.7

10

1.000

3.5

8

0.610

3.8

10

1.000

3.5

9

0.612

3.9

10

1.000

3.5

10

0.613

4.0

10

1.001

출력 저항

(mA)

4.95

3.35

0.619

500k

제어특성

5V

10V

2V

0.5

0.008

0.003

0.013

1.0

0.008

0.003

0.011

1.5

0.008

0.002

0.011

2

0.009

0.002

0.011

2.5

0.009

0.002

0.011

3

0.008

0.002

0.011

3.3

0.086

0.092

0.082

3.4

0.239

0.242

0.183

3.5

0.495

0.617

0.188

4

0.504

1.001

0.190

4.5

0.504

1.001

0.190

5

0.504

1.001

0.190

3. 결과 분석 및 토의

출력특성

VD가 증가시킴에 따라 Id가 증가하다가, 어느 특정 값을 넘어서면 Id 값이 일정하게 유지되는 것을 확인할 수 있었다. 이는 일정 Vg에 대하여 VD가 증가함에 따라 어느 순간 포화영역에 도달했기 때문이며, Vg가 3V였고, VD가 1.5V 전후에서 포화영역에 도달하므로 Vt가 약 1.5V가 되는 것을 확인할 수 있다.

제어특성

Vd를 각각 2V, 5V, 10V로 고정시키고, Vg 값에 따른 Id의 변화를 관찰하였다.

Vg가 대략 3.5V일 때 이후로 Id가 거의 변하지 않게 되었다. 이를 통해 문턱전압이 대략 Vg가 3.5V일 때 형성됨을 알 수있다. 또한 Vd가 커지면, Id 값도 증가하는 것을 확인 할 수 있다.

4. 질문

1. 문턱 전압은 DVM에 병렬 연결된 저항값에 따라 변하는가

- 변하지 않는다. 문턱전압은 소자의 특성에 따라 결정되는 값이다.

2. DVM은 전압 측정 이외에 어떠한 역할을 하는가

- 무한대의 저항을 대신하여 회로를 연결시켜주는 역할을 한다.

3. 문턱 전압은 트랜지스터의 동작과 어떠한 관계가 있는가

- 게이트전압이 문턱전압 이상일 때, 드레인전압과 게이트전압의 사이의 차이가 문턱 전압 이상이면 트라이오드영역으로 동작하고 그렇지 않으면 포화영역에서 동작한다.

4. 트랜지스터의 문턱 전압이 0.7V일 때, 게이트 전압이 2V이고 드레인 전압이 1.5V라면 트랜지스터의 동작 영역은 무엇인가

- VG - Vt = 1.3V이고 이는 드레인 전압 VD보다 작으므로 포화영역이다.

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